Folha de dados e especificações do CTK PDFN5 MOSFET

Jul 24, 2026

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CTK CTKG100N10DF5 100V/100A N-Mosfet de potência de canal|Lançamento Oficial

 

pdfn5 mosfet 100A 100V

 

CTKG100N10DF5100V/100A

 

MOSFET de potência de canal N- · Divisão avançada-Gate Trench · PDFN5×6-8L SMD

Marca CTK (Dongguan Tongke)
Modelo CTKG100N10DF5
Tipo N-Canal · Trincheira-de portão dividido
VDS 100V
EU IA 100A
RDS(ligado) 6,5mΩ (tip.) @ VGS=10V
Pacote PDFN5×6-8L

 

O CTKG100N10DF5 é um MOSFET de potência de N-canais projetado para aplicações de energia de alta-corrente, alta-eficiência e alta-confiabilidade. Construído com base na tecnologia avançada de vala-de porta dividida, ele oferece baixa perda de condução, desempenho de comutação robusto e excelente comportamento térmico em um pacote compacto-de montagem em superfície. Ideal para conversão de energia, comutação de carga, acionamentos de motores, gerenciamento de baterias e sistemas industriais.

Principais vantagens elétricas e de design
 

Resistência ultra-baixa-

Típico6.5mΩ@VGS=10V. Minimiza as perdas de condução a 100A, reduz o aumento de temperatura e simplifica o projeto térmico.

 

Processo de divisão-de trincheira de portão

SaldosRDS(ligado)e taxa de portãoQgpara operação PWM de alta-frequência com baixa perda de comutação e EMI aprimorada.

 

Triagem de confiabilidade dupla 100%

100% ISSteste de avalanche +100% ΔVdsestresse de tensão dinâmica. Suporta picos, retorno-AEMF e transientes.

 

Diodo Corporal Integrado

O diodo de recuperação-rápida-integrado suporta freewheeling em ponte e circuitos buck/boost, reduzindo componentes externos e custo de BOM.

 

PDFN5×6-8L Tamanho Compacto

Apenas5×6mm, ocupando um espaço 60% menor que o TO-252/TO-220, ideal para designs finos e com espaço limitado.

 

Almofada térmica exposta

A grande almofada inferior transfere calor diretamente para o cobre PCB. Mantém o aumento controlado da temperatura mesmo em corrente contínua de 100A.

 

8-Distribuição de corrente multicaminho de pinos

Pinos de drenagem/fonte paralelos melhoram a capacidade de corrente e reduzem a indutância parasita para estabilidade de alta-frequência.

 

Alfinete padrão-a{1}}implante do alfinete

O layout-padrão do setor permite a substituição direta de MOSFETs semelhantes sem reformulação da PCB, acelerando a iteração.

 

Principais áreas de aplicação
 

Interruptor de carga

Centrais de energia, carregadores PD, BMS, hot-swap

Potência PWM

Buck/Boost, inversores, drives BLDC

Industrial e Automotivo

CA-CC, alimentação auxiliar, UPS, servo

Centrais de energia externas / interruptores principais de carga/descarga de bateria de lítio

 

Conversores CC Buck e Boost síncronos-de alta potência-

 

Fontes de alimentação industriais CA-CC e módulo de energia de comunicação

Carregadores PD de alta-potência e controle do caminho de alimentação do adaptador-multiportas

 

Microinversores fotovoltaicos e pequenos sistemas de inversores DC

 

Alimentação auxiliar automotiva e circuitos de distribuição de{0}alta corrente

Chaves de proteção contra sobrecorrente/sobretensão/curto-circuito do BMS-

 

Controladores de motor BLDC para ferramentas elétricas e eletrodomésticos

 

Energia de backup do UPS e estágios de saída do servo driver
 

Hot-swap e distribuição de energia em controle industrial e robótica

 

Controladores de velocidade para veículos elétricos e EVs leves

 

Drivers de LED-de alta potência e módulos de energia industrial

Vantagens de embalagem e produção (PDFN5×6-8L)

 

  Pegada pequena, alta densidade

DFN padrão de 5×6 mm, adequado para controladores industriais finos e-de mobilidade elétrica.

  Almofada térmica inferior

Transferência direta de calor para cobre PCB por meio de almofada exposta, suporta operação contínua de 100A.

  Corrente de múltiplos caminhos de 8-pinos

Os pinos D/S paralelos reduzem a indutância parasita e melhoram a estabilidade-de alta frequência.

  Marcação PIN1 + pad padrão

Impede a colocação reversa; compatível com MOSFETs semelhantes para substituição imediata.

  Processo SMT maduro

Escolha-e{1}}totalmente automatizada, alto rendimento de refluxo e produção em massa estável.

 

  Marcação clara

"CTKG100N10DF5" para fácil inspeção e rastreabilidade de entrada IQC.

 

 
Informações sobre embalagem e fornecimento

Fita e carretel padrão de 13 polegadas

5.000 peças/carretel

50.000 peças/caixa

Gravação padrão, compatível com colocação automática

Vantagem da cadeia de suprimentos: entrega estável na fábrica, substituição direta de marcas importadas, custo otimizado da lista técnica.

 

 

Resumo da seleção

 

 

OCTKG100N10DF5combina uma classificação de 100 V/100 A, 6,5 mΩ de resistência-ultrabaixa-, tecnologia de vala-de porta dividida e 100% de proteção dupla contra avalanches. Instalado no pacote compacto PDFN5×6-8L, ele aborda design térmico, imunidade a surtos e desafios de espaço-da placa, ao mesmo tempo que oferece compatibilidade-a-pino, produção estável e fornecimento confiável. É um MOSFET de canal N de excelente custo-desempenho para carregamento rápido de consumo, armazenamento portátil de energia, controle industrial, energia automotiva e ferramentas elétricas.

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CTKG100N10DF5 100V 100A N-Channel Power MOSFET PDFN5x6-8L, vala de porta dividida, baixo RDS(on) 6,5mΩ, 100% UIS testado, conversão de energia, acionamento motorizado, BMS, interruptor de carga.

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